中心概况

显微电子成像
  • 姓名

    :杨郁喆

  • 职称职务:工程师
  • 测试方向:显微电子成像
  • 办公电话:010-61715056
  • 电子邮箱:yangyuzhe@buaa.edu.cn
  • 办公地址:沙河校区4号楼206

个人简介

女,工程师,博士。2013年本科毕业于天津大学物理系,2016年硕士毕业于天津大学物理系,2022年毕业于澳大利亚昆士兰大学机械矿物学院,获哲学博士学位(材料工程)。现任分析测试中心电镜平台实验室管理员。主要研究方向为纳米结构的电子显微学研究。

教育背景

2022年博士毕业于澳大利亚昆士兰大学机械矿物学院
2016年硕士毕业于天津大学物理系
2013年本科毕业于天津大学物理系

工作履历

2024.1至今,北京航空航天大学,电镜平台实验室管理员
2017年起,熟练使用TEM (Hitachi 7700、FEI Tecnai F20),),aberration-correlated TEM/STEM (Hitachi HF5000),SEM (JEOL JSM-6610、JSM-7001F、JSM-7100F、JSM-7800F,熟悉SAED、BF-TEM image、DF-TEM image、HR-TEM image、STEM-HAADF image、EDS、EELS的测试和数据分析,掌握CBED、EBSD的测试和数据分析。

负责领域

显微电子成像平台相关仪器,微纳尺度下的形貌、结构、元素、化学成分、外场作用下的动态物理学过程的分析。

课题项目

攻读硕士学位期间参与国家自然科学基金面上项目(51572190)

学术成果

1、Yang Y.; Shang J.; Gao H.; Sun Q.; Kou L.; Chen Z.; Zou J., Intercalation-induced disintegrated layer-by-layer growth of ultrathin ternary Mo(Te1-xSx)2 Plates, ACS Appl. Mater. Interfaces2020, 12, 27, 30980-30989.
2、Shi X.; Zheng K.; Liu W.; Wang Y.; Yang Y.; Chen Z.; Zou J., Realizing high thermoelectric performance in n-type highly distorted Sb-doped SnSe microplates via tuning high electron concentration and inducing intensive crystal defects, Adv. Energy Mater. 2018, 180075.
3、Yang Y.; Chen Z.; Zou J., High-yield synthesis of nanometer-thick S-doped MoTe2 by a
facile chemical vapour deposition method, ICONN 2020. (Brisbane, Oral presentation)

奖励与荣誉

国家建设高水平大学公派研究生项目(201606250004)

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